高年収、半導体レーザーモジュール開発のチーフエンジニア(@中興光電子日本株式会社)


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サマリー
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求人概要

世界屈指の通信機器ベンダーであるZTEの100%出資の日本法人で最先端の光デバイスの研究開発・設計が専門業務です。非常に優秀な方には、年収3000万円以上支給します。◇業界の動向を把握し、明確な展望を持ち、将来にわたって市場競争力を強化する。◇半導体レーザーに関する各指標の要求水準の明確化などをしプロジェクト全体をコントロールし、TOSAパッケージの設計で発生した技術的な問題を解決する。◇製品の量産化のためのコスト管理やサプライヤー選択をする。◇南京のメンバーなど10名程のチームでの研究開発◇業務遂行のためのメンバーへの適切な指示◇月1回程度の南京への出張

求人内容
  • 月給 72.7万円〜187.8万円
  • 勤務時間: 就業時間
    9時30分〜18時30分
  • 休日: 123日

    休日
    土曜日,日曜日,祝日
    週休二日制
    毎週 /
  • 年間休日:0
  • 雇用期間:雇用期間の定めなし
応募資格
  • 年齢:制限あり

    年齢制限範囲
    〜64歳
  • 資格:必須
    ●光デバイス、レーザモジュールの研究開発及び設計に関する15年以上の経験●レーザモジュールのデザインと製品化プロジェクトを主導した経験と2件以上の成功事例
  • 必要経験:必須
    ●光デバイス、レーザモジュールの研究開発及び設計に
  • 学歴:大学以上が必須
その他詳細
  • 採用予定人数:1人
  • 掲載終了予定:2020-07-31
  • 特記事項:
求人企業情報
  • 〒261-0023
  • TEL:00
  • FAX:00
  • 事業概要:光デバイス及びその周辺ハードウェア、ソフトウェア製品の企画、研究開発、製造、販売、輸出入業務
  • 従業員数: 事業所 0人 / 事業所(女性):0人 / 全社:0人
掲載元
  • 管轄:ハローワーク千葉
  • 求人票番号:12010-15499801
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